Tổn thất điện môi là gì? Các nghiên cứu khoa học liên quan

Tổn thất điện môi là hiện tượng vật liệu cách điện dưới điện trường xoay chiều tiêu tán năng lượng điện thành nhiệt do phân cực trễ pha và dẫn ion. Tổn thất điện môi khác tổn thất điện trở ở cơ chế phân cực và dẫn ion, được đo bằng hệ số tiêu tán tanδ, quyết định hiệu suất và tuổi thọ tụ điện và cáp.

Định nghĩa tổn thất điện môi

Tổn thất điện môi (dielectric loss) là quá trình mà một vật liệu cách điện chuyển đổi một phần năng lượng điện trường xoay chiều thành nhiệt năng. Khi một điện trường biến đổi theo thời gian tác dụng lên vật liệu điện môi, các phân tử hoặc dipole bên trong vật liệu sẽ bị kích thích và dao động nhằm đáp ứng với sự thay đổi của điện trường, dẫn đến tiêu hao năng lượng dưới dạng nhiệt.

Khác với tổn thất điện trở (conduction loss) phát sinh do dòng rò qua vật liệu, tổn thất điện môi là kết quả của hiện tượng phân cực bị trễ pha (phase lag) so với điện trường. Yếu tố này đặc biệt quan trọng trong ứng dụng mạch cao tần, tụ điện công suất lớn và hệ thống cách điện công nghiệp, nơi nhiệt độ và độ bền cách điện chịu ảnh hưởng trực tiếp từ mức độ tổn thất.

  • Ứng dụng tụ điện công nghiệp: tổn thất lớn làm tăng nhiệt độ lõi tụ, rút ngắn tuổi thọ.
  • Mạch RF và viễn thông: tổn thất điện môi ảnh hưởng đến hệ số chất lượng (Q) của bộ cộng hưởng.
  • Cách điện cáp ngầm và trạm biến áp: nhiệt phát sinh do tổn thất có thể gây suy giảm khả năng cách ly.

Cơ chế vật lý

Khi điện trường xoay chiều tác động lên vật liệu điện môi, có nhiều cơ chế phân cực đồng thời diễn ra. Trong vật liệu phân cực, các dipole phân tử sẽ cố gắng quay để cân bằng với hướng của điện trường nhưng không thể ngay lập tức đáp ứng hoàn toàn do ma sát nội tại và ma sát với khung vật liệu.

Quá trình này tạo ra hai thành phần mất mát chính: mất mát do dipole relaxation và mất mát do dẫn điện ion. Trong dipole relaxation, sự lộn xộn nhiệt động của phân tử tạo ra lực cản đối với quay dipole, gây trễ pha và sinh nhiệt. Trong ionic conduction, ion di chuyển theo điện trường nhưng bị tắc nghẽn bởi cấu trúc mạng tinh thể, dẫn đến tiêu hao năng lượng.

  • Dipolar relaxation: phụ thuộc vào độ nhớt và cấu trúc vĩ mô của vật liệu.
  • Ionic conduction: ion di chuyển chậm gây dòng rò nhỏ và tỏa nhiệt.
  • Hysteresis polarization: trong vật liệu ferroelectric, sự đảo chiều phân cực tạo vòng hysteresis phát tán năng lượng.

Phân loại tổn thất

Tổn thất điện môi có thể được phân thành nhiều loại dựa trên cơ chế hình thành và thành phần vật chất:

  • Polarization loss: mất mát do sự trễ pha của dipole phân cực so với điện trường, thường xảy ra trong polymer và vật liệu ferroelectric.
  • Conduction loss: dòng rò nhỏ phát sinh do dẫn điện nội tại hoặc do tạp chất, ion tự do trong vật liệu.
  • Ionic conductivity loss: mất mát liên quan đến sự di chuyển của ion trong mạng tinh thể hoặc cấu trúc polymer kém bền.
  • Hysteresis loss: chỉ có ở các vật liệu có vòng hysteresis phân cực, như ferroelectric và ferromagnetic.

Đối với các ứng dụng thực tiễn, việc xác định tỷ lệ từng loại tổn thất giúp chọn đúng vật liệu và thiết kế mạch phù hợp để giảm thiểu nhiệt độ làm việc và kéo dài tuổi thọ thiết bị.

Loại tổn thấtCơ chế chínhVật liệu điển hình
Polarization Trễ pha phân cực dipole Polymer, mica
Conduction Dòng rò ion Composite, gốm sứ
Ionic Di chuyển ion mạng Polymer ẩm, gốm nhiều tạp chất
Hysteresis Vòng hysteresis phân cực Ferroelectric, ferromagnetic

Định lượng tổn thất

Độ mức độ tổn thất điện môi thường được đặc trưng bằng hệ số tiêu tán (loss tangent) tan δ, tỷ lệ giữa phần ảo và phần thực của độ điện môi:

tanδ=εε \tan\delta = \frac{\varepsilon''}{\varepsilon'}

Trong đó, ε′ (epsilon prime) là thành phần thực biểu thị khả năng tích trữ năng lượng, còn ε″ (epsilon double prime) là thành phần ảo mô tả mức độ mất mát. Hệ số chất lượng Q của tụ điện được định nghĩa là:

Q=cotδ=εε Q = \cot\delta = \frac{\varepsilon'}{\varepsilon''}
  • tan δ < 0.001: vật liệu siêu thấp mất cho mạch viễn thông băng tần cao.
  • tan δ ~ 0.01–0.1: phù hợp ứng dụng công nghiệp low–medium frequency.
  • tan δ > 0.1: vật liệu mất cao, chỉ dùng cho ứng dụng nhiệt hoặc cách ly tĩnh.

Giá trị tan δ thay đổi theo tần số và nhiệt độ, do vậy việc đo lường trên dải tần và nhiệt độ làm việc thực tế là cần thiết để đảm bảo tính ổn định và hiệu suất của thiết kế điện môi.

Phương pháp đo lường

Đo lường tổn thất điện môi thường sử dụng thiết bị phân tích trở kháng (impedance analyzer) hoặc cầu RLC ở tần số thấp. Cầu đo so sánh điện trở và dung kháng mẫu với mạch tham chiếu, cho phép xác định tan δ và ε′, ε″.

Ở tần số cao (MHz–GHz), phương pháp cộng hưởng (resonator) như cavity resonator và coaxial probe được ứng dụng rộng rãi. Mẫu vật liệu đặt trong buồng cộng hưởng, thay đổi biên độ và pha của sóng để tính hệ số tiêu tán.

  • IEC 60250: tiêu chuẩn đo tan δ ở điện áp xoay chiều (IEC 60250).
  • ASTM D150: phương pháp điện dung–điện trở cho polymer (ASTM D150).
  • NIST: hướng dẫn hiệu chuẩn thiết bị và hiệu chỉnh sai số (NIST Dielectric Properties).

Ảnh hưởng của tần số và nhiệt độ

Tan δ biến đổi mạnh theo tần số do các cơ chế phân cực khác nhau kích hoạt ở các dải tần. Đặc trưng relaxation peak xuất hiện tại tần số đặc trưng f_r, khi thời gian đáp ứng phân cực ≈ chu kỳ điện trường.

Nhiệt độ tác động lên động học phân cực: tăng nhiệt độ thường giảm độ nhớt môi trường, làm tan δ tăng và f_r dịch chuyển. Đối với gốm sứ ferroelectric, nhiệt độ gần điểm Curie tạo đỉnh tổn thất rất cao.

Ttan δ tại 1 kHztan δ tại 1 MHz
25 °C0.0050.002
75 °C0.0100.004
125 °C0.0200.008

Ảnh hưởng của vật liệu

Vật liệu polymer như PTFE, polypropylene có tan δ rất thấp (<0.001) ở tần số lên tới vài trăm MHz, nhờ cấu trúc không phân cực và hệ số mất mát nội tại thấp. Gốm sứ đa pha (multi‐phase ceramic) có tan δ ~0.001–0.01, phụ thuộc tạp chất và cấu trúc hạt.

Độ ẩm và tạp chất ion trong điện môi làm tăng tổn thất do dòng rò và ionic conduction. Polymer ẩm có thể tăng tan δ gấp 5–10 lần so với dạng khô.

  • PTFE: tan δ ≈ 0.0002–0.0005 ở 1 MHz.
  • Polypropylene: tan δ ≈ 0.0001–0.001 ở 100 kHz.
  • Ceramic MLCC: tan δ ≈ 0.005–0.02, phụ thuộc tần số và nhiệt độ.

Ảnh hưởng hệ thống điện

Nhiệt phát sinh do tổn thất điện môi tích tụ trong tụ điện công suất lớn có thể gây tăng nhiệt lõi, dẫn đến suy giảm điện dung và lệch thông số. Trong cáp điện xoay chiều, nhiệt độ lớp cách điện tăng làm gia tăng dòng rò, tạo vòng tuần hoàn hư hại.

Ở mạch cộng hưởng và bộ lọc RF, hệ số chất lượng Q giảm do tan δ lớn khiến băng thông mở rộng không kiểm soát, làm giảm độ selectivity và tăng độ ồn nhiệt.

Ứng dụngẢnh hưởng
Tụ lọc công suấtGiảm tuổi thọ, hiệu suất thấp
Cáp ngầmTăng dòng rò, hư hại cách điện
Bộ cộng hưởng RFQ thấp, băng thông rộng

Phòng ngừa và giảm thiểu

Lựa chọn vật liệu có tan δ thấp phù hợp dải tần và nhiệt độ làm việc là biện pháp cơ bản. Xử lý bề mặt như tẩm cách điện (impregnation) và sấy khô polymer trước khi lắp đặt giảm độ ẩm và ion tự do.

Thiết kế mạch giảm điện áp đỉnh và kiểm soát nhiệt độ qua làm mát, quạt hoặc tản nhiệt giúp hạn chế tăng nhiệt. Ở ứng dụng cao tần, cấu trúc multilayer ceramic với lớp ngăn ion cải thiện tổn thất thấp.

  • Sấy khô môi trường (<100 ppm H₂O) trước đo và lắp thiết bị.
  • Sử dụng vật liệu composite polymer–ceramic để cân bằng tính cơ học và tan δ.
  • Thiết kế tản nhiệt cho tụ và cáp cách điện công suất cao.

Ứng dụng và hướng nghiên cứu

Công nghệ tụ điện mật độ cao cho vi mạch RF và 5G yêu cầu tan δ <0.001 ở GHz. Nghiên cứu composite polymer–ceramic siêu thấp loss cho băng tần cao đang phát triển nhanh (IEEE).

Metamaterials điều khiển phân cực điện môi hứa hẹn giảm loss bằng cơ chế đồng bộ điều chỉnh pha. Liệu pháp in 3D cho phép tối ưu cấu trúc vi mô của vật liệu, giảm tổn thất và tăng tính linh hoạt trong thiết kế.

  • Composite PTFE–Al₂O₃ nano: tan δ ≤ 0.0001 ở 10 GHz.
  • Metamaterial SRR (split‐ring resonator) điều chỉnh hệ số phân cực.
  • In 3D gyroid structures tối ưu phân bổ điện trường bên trong vật liệu.

Tài liệu tham khảo

  • IEC. “IEC 60250: Measurement of power loss index in insulating materials.” 2019. Link.
  • NIST. “Dielectric Properties of Materials.” U.S. Department of Commerce. Link.
  • IEEE. “Dielectric Loss and RF Component Design.” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2018. Link.
  • Ramo, S., Whinnery, J. R., & Van Duzer, T. “Fields and Waves in Communication Electronics.” 3rd ed., Wiley, 1994.
  • Gattazoni, O., et al. “Polymer–Ceramic Composites with Low Dielectric Loss.” Journal of Materials Science, 2020.

Các bài báo, nghiên cứu, công bố khoa học về chủ đề tổn thất điện môi:

Khả năng hấp thụ vi sóng được cải thiện nhờ bao bọc ổn định trong môi trường của cấu trúc CoxNiy trong các lớp nano cacbon xốp xếp chồng Dịch bởi AI
Nano-Micro Letters - - 2020
Thông tóm tắtCác vật liệu hợp composites đồng thời có tính từ tính/khoảng cách điện@cacbon xốp, được tạo ra từ các khung hữu cơ kim loại (MOFs) với tỉ lệ thành phần có thể điều chỉnh, đã thu hút sự chú ý rộng rãi nhờ những đặc tính điện từ độc đáo của chúng. Bên cạnh đó, các vật liệu trên cơ sở cacbon xốp có nguồn gốc từ MOFs cũng đáp ứng được nhu cầu về đặc tính n...... hiện toàn bộ
#Cacbon xốp #cấu trúc MOFs #hấp thụ vi sóng #tổn thất điện từ #ổn định môi trường
Mất Điện Thế Điện Từ và Hiệu Chỉnh Cảm Biến Nước Đất Hydra Probe Dịch bởi AI
Vadose Zone Journal - Tập 4 Số 4 - Trang 1070-1079 - 2005
Sự quan tâm rộng rãi đến thông tin về độ ẩm đất (θ, m3 m−3) cho cả quản lý và nghiên cứu đã dẫn đến sự phát triển của nhiều loại cảm biến độ ẩm đất. Trong hầu hết các trường hợp, các vấn đề quan trọng liên quan đến hiệu chỉnh cảm biến và độ chính xác chưa nhận được nhiều nghiên cứu độc lập. Chúng tôi đã khảo sát hiệu suất của cảm biến nước đất Hydr...... hiện toàn bộ
#độ ẩm đất #cảm biến nước đất Hydra Probe #hiệu chỉnh cảm biến #tổn thất điện môi
Tính chất điện môi của phim mỏng hỗn hợp ZnNb2O6-TiO2 Dịch bởi AI
Journal of Electroceramics - Tập 17 - Trang 179-183 - 2006
Các phim mỏng hỗn hợp ZnNb2O6-TiO2 với cấu trúc nhiều lớp đã được chế tạo thông qua quy trình phủ spin sol-gel. Các lớp TiO2 được lắng đọng lên các lớp ZnNb2O6 đã được tinh thể hóa trước đó nhằm ngăn chặn sự hình thành pha ixiolite, thường xuất hiện trong hệ thống bulk. Thành phần pha của các phim mỏng, được xác nhận bằng phân tích nhiễu xạ tia X (XRD), có thể được kiểm soát bởi nhiệt độ tái tinh ...... hiện toàn bộ
#ZnNb2O6 #TiO2 #phim mỏng #tính chất điện môi #nhiệt độ tái tinh thể hóa #hằng số điện môi #tổn thất điện môi
Nghiên cứu đáp ứng điện môi của các hệ thống hỗn loạn nhị phân được mô hình hóa dưới dạng mạng điện trở–tụ ngẫu nhiên Dịch bởi AI
Springer Science and Business Media LLC - Tập 94 - Trang 1895-1900 - 2019
Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu đáp ứng điện môi của các hệ thống hỗn loạn nhị phân, thường được mô hình hóa bằng các mạng điện trở–tụ ngẫu nhiên (RRCN). Kết quả của chúng tôi cho thấy sự tồn tại của một quy luật tỷ lệ liên kết độ lệch chuẩn của độ dẫn điện với kích thước mạng và tỷ lệ tụ điện. Ngoài ra, chúng tôi cũng đã nghiên cứu ảnh hưởng của việc sử dụng tụ điện có tổn thất đến đáp ứn...... hiện toàn bộ
#đáp ứng điện môi #hệ thống hỗn loạn nhị phân #mạng điện trở–tụ ngẫu nhiên #độ dẫn điện #tổn thất điện môi
Phân tán điện môi và sự thư giãn trong các nanocomposites (PMMA/PVDF)/ZnO Dịch bởi AI
Polymer Bulletin - Tập 79 - Trang 2443-2459 - 2021
Trong những năm gần đây, cộng đồng khoa học đã thể hiện sự quan tâm đáng kể đối với các nanocomposites như một thế hệ vật liệu mới có hằng số điện môi cao và hệ số tổn thất điện môi thấp cho ngành công nghiệp vi điện tử. Trong nghiên cứu này, ảnh hưởng của các hạt nano ZnO lên hỗn hợp PMMA/PVDF đã được khảo sát. Kỹ thuật đổ dung dịch được sử dụng để chế tạo các nanocomposites này. Các nghiên cứu F...... hiện toàn bộ
#nanocomposites #hằng số điện môi #tổn thất điện môi #ZnO #PMMA/PVDF #điện trở mô đun #độ dẫn điện xoay chiều
Kỹ thuật lắng đọng hỗ trợ bằng plasma để tổng hợp màng mỏng polyanisidine có hằng số điện môi thấp Dịch bởi AI
IEEE Conference Record - Abstracts. 2002 IEEE International Conference on Plasma Science (Cat. No.02CH37340) - - Trang 292
Chỉ cung cấp dưới dạng tóm tắt. Chúng tôi báo cáo về việc chuẩn bị các màng mỏng polyanisidine điện môi thấp bằng cách sử dụng kỹ thuật polymer hóa plasma xoay chiều. Các nghiên cứu FTIR cho thấy rằng vòng thơm được giữ lại trong các màng polymer. Điều này sẽ nâng cao độ ổn định nhiệt của các màng. Điện dung điện môi và tổn thất điện môi của các màng này được đo bằng máy phân tích trở kháng HP4192...... hiện toàn bộ
#Hằng số điện môi #Màng mỏng điện môi #Kỹ thuật phun tia #Màng polymer #Đo lường tổn thất điện môi #Đo lường plasma #Tổn thất điện môi #Tần số #Màng dẫn điện #Nhiệt độ plasma
Một loại UMOSFET siêu giao diện 4H-SiC mới với diode dị hướng nhằm cải thiện đặc tính phục hồi ngược và giảm tổn thất chuyển mạch Dịch bởi AI
Semiconductors - Tập 54 - Trang 587-595 - 2020
Trong bài báo này, một loại transistor hiệu ứng trường kim loại-oxit (UMOSFET) cấu trúc chữ U bằng carbide silic (SiC) mới với một diode dị hướng tích hợp (HJD) được đề xuất và nghiên cứu thông qua các mô phỏng số. HJD tích hợp cải tiến đáng kể đặc tính diode thân và giảm tổn thất chuyển mạch mà không làm suy giảm các đặc tính tĩnh của thiết bị. Trong cấu trúc này, một vùng chắn p+ giữa vùng p-pol...... hiện toàn bộ
#UMOSFET #SiC #diode dị hướng #phục hồi ngược #tổn thất chuyển mạch
Thử nghiệm điện áp cao trên các mẫu ngắn của cáp truyền tải siêu dẫn công suất cao 110 kV sử dụng cơ sở HAIhKE Dịch bởi AI
Proceedings of 2002 IEEE 14th International Conference on Dielectric Liquids. ICDL 2002 (Cat. No.02CH37319) - - Trang 186-189
Các thành phần cơ bản của cáp truyền tải điện siêu dẫn nhiệt độ cao đã được phát triển trong khuôn khổ chương trình R&D dưới sự lãnh đạo của Tập đoàn Siemens. Để thử nghiệm và lựa chọn cách điện điện áp cao, một dielectrics rắn được ngâm tẩm bằng nitơ lỏng đã được chế tạo, cơ sở thử nghiệm HAIhKE (Hochspannungs-Anlage zur Isolationsprufung an hochtemperatursupraleitenden Kabelkurzproben fur die En...... hiện toàn bộ
#Cáp siêu dẫn #Điện áp #Siêu dẫn nhiệt độ cao #Cáp truyền tải siêu dẫn #Thử nghiệm cách điện #Điện môi và cách điện điện #Lỏng điện môi #Nitơ #Tiêu chuẩn IEC #Tổn thất điện môi
Nghiên cứu về tính chất hấp thụ sóng điện từ của các hợp chất graphene/FeSiAl/polylactic acid được chế tạo bằng công nghệ in 3D theo phương pháp ép đùn nóng chảy Dịch bởi AI
Journal of Materials Research - Tập 38 - Trang 1620-1633 - 2023
Các thiết bị có cấu trúc phức tạp thường được chế tạo bằng công nghệ in 3D theo phương pháp ép đùn nóng chảy (FDM). Trong nghiên cứu này, các hợp chất graphene (GR)/FeSiAl/polylactic acid (PLA) với các hàm lượng graphene khác nhau đã được chuẩn bị thành công bằng công nghệ in 3D FDM. Tính chất cơ học của các hợp chất suy giảm, trong khi đó các tính chất hấp thụ tăng dần khi hàm lượng graphene tăng...... hiện toàn bộ
#hợp chất graphene #hấp thụ sóng điện từ #3D in 3D #FeSiAl #polylactic acid #tính chất cơ học #tổn thất điện môi #tổn thất từ tính
Tính chất điện môi của gốm CaCu3Ti4O12: ảnh hưởng của bột nano tinh khiết cao Dịch bởi AI
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Tập 25 - Trang 1842-1847 - 2014
Các tính chất điện môi của gốm CaCu3Ti4O12 được chế tạo từ bột mịn kích thước nano (~30 nm) được so sánh với bột thô kích thước vi mô (0.1–0.3 μm). Dưới cùng một điều kiện nung, các mẫu gốm với bột mịn kích thước nano có cấu trúc vi mô đồng nhất và dày đặc hơn, cũng như hằng số điện môi ở nhiệt độ phòng cao hơn (~105, trong dải tần số 10−1–105 Hz) so với những mẫu sử dụng bột thô kích thước vi mô....... hiện toàn bộ
#CaCu3Ti4O12 #điện môi #bột nano #cấu trúc vi mô #tổn thất điện môi
Tổng số: 15   
  • 1
  • 2